У монокристалах Si теоретично та експериментально досліджено ефект подвійного променезаломлення, зумовлений дією одновісної пружної деформації. Для підвищення чутливості вимірювальної системи в межах фундаментального поглинання використано поляризаційну модуляцію віддзеркаленого випромінювання. Виміряно деформаційні характеристики ефекту. Результати, отримані на довжинах хвиль зондуючого випромінювання в діапазоні прозорості, добре узгоджуються із висновками попередніх досліджень. У діапазоні сильного поглинання виявлено кардинальну зміну вигляду характеристик ефекту та встановлено їх задовільне узгодження із результатами теоретичного розрахунку.

In the article one can point out microcontrollers' main principles of operation, their latest modifications that can be salvaged in the scientific projects, and also the operating programming environment for the most widespread microcontrollers.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3

Рубрики:

Фізика діелектриків

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Mobility of electrons in multivalley bands of Si and Ge is considered with due regard for intervalley drag. It is shown that drag sufficiently diminishes electron mobility at low temperatures. This effect is clearer pronounced in germanium than in silicon.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Mobility of band carriers scattered on donors, partially ionized, partially neutral, at low temperatures, is considered in general and calculated for AIII-BV group crystals. It is shown that temperature dependence of mobility is determined by relationship between number of ionized and neutral donors and by average energy of electrons.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7

Рубрики:

Діелектричні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both effects.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372

Рубрики:

Структура твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Саліцилова кислота (СК) відома як учасник стресових реакцій рослин. Досліджено вплив різних методів обробки СК (попереднє замочування насіння та обприскування 7-добових проростків 100 та 500 мкМ СК) на рослини пшениці та кукурудзи. Виявлено негативний вплив іонів Сd на площу листкової поверхні, масу рослин і вміст фотосинтетичних пігментів. Вплив СК знижує токсичний ефект іонів Cd на ріст і пігментну систему досліджуваних рослин. Виявлено зміни у вмісті білка в тканинах рослин за стресових умов та дії СК. Показано, що допосівне замочування насіння у 500 мкМ СК має найпомітніший ефект для обох досліджуваних рослин.

Встановлено зміни спектрів фотосинтетичних пігментів рослин пшениці та кукурудзи під впливом іонів кадмію і саліцилової кислоти. Вплив кадмію ініціював зсуви максимумів поглинання пігментів, що вказує на появу незначної кількості похідних пігментів. Зменшення кількості зсувів піків абсорбції пігментів під впливом саліцилату підтвердило його захисну роль за умов стресу. [Cd]-хлорофіл не був виявлений у екстрактах досліджуваних рослин, що свідчить про непрямий вплив іонів кадмію на хлорофіл.

The kinetic equation is turned out in the form that contains collision integral obviously dependent on the value of external electric and magnetic fields. The correspondent calculation of kinetic coefficients shows that for the case considered here they depend evidently on the ratio of average deBroighle wavelength and free-path length. Just here, the real possibility appears toreasonably separate physical kinetics by the classic and non-classic (quantum) ones.

Conductivity of charged band carriers is considered for the case when collision integral evidently depends on electric field. This dependence for the case of scattering by charged impurities results in decrease of carrier conductivity.

Розглянуто методи мотивації та стимулювання успішного навчального процесу у вищій школі, їх роль в системі освіти та вплив на сам освітній процес, а також на всебічний розвиток особистості студентів. Запропоновано основні методи заохочення та покарання студентів у процесі навчання, їх теоретичне обгрунтування й особливості застосування на практиці. Наведено класифікацію основних мотивів до навчання та особистісного розвитку студентів у процесі здобуття вищої освіти. Розглянуто основні види педагогічної оцінки, а саме предметний і персональний, матеріальний та моральний, результативний і процесуальний, кількісний та якісний. Поряд з видами педагогічних оцінок виділено способи стимулювання навчальних і виховних успіхів, головні: увага, схвалення, визнання, оцінка, підтримка, нагорода, підвищення соціальної ролі, престижу і статусу студента як особистості. Кожен з перелічених способів стимулювання розглянуто окремо. Детально висвітлено групи методів стимулювання та мотивації, що розподілено на дві основні підгрупи: методи формування пізнавальних інтересів і методи, спрямовані переважно на формування почуття обов'язку та відповідальності у навчанні. До методів формування пізнавального інтересу відносяться: створення на занятті ситуації зацікавлення - введення в навчальний процес цікавих прикладів, експериментів, парадоксальних фактів, використання цікавих аналогій, створення ситуації новизни, актуальності, моделювання у навчальному процесі ігрових ситуацій, навчальні дискусії, стимулювання за допомогою аналізу життєвих ситуацій, ситуації успіху в навчанні. Методи, спрямовані на формування почуття обов'язку та відповідальності у навчанні включають висунення навчальних вимог, а також заохочення та засудження у навчанні.

Consideration of different problems of physical kinetics shows that obtained non-equilibrium distribution function and following kinetic coefficients calculated are significantly dependent on choice of approach to approximate solution of kinetic equation. Therefore, in real practice any separate popular way of solution cannot be confidently considered as a reliable result. Here, several approaches are used, and the obtained different distribution functions and mobility have been compared.

Consideration of different problems of physical kinetics shows that nonequilibrium distribution function of band carriers and, consequently, kinetic coefficients significantly depend on the specific shape of bands and mutual interaction of carriers. The most impressive results are related with interband scattering of mobile particles belonging to many-valley systems.

Consideration of different problems of physical kinetics shows that nonequilibrium distribution function of band carriers and, consequently, kinetic coefficients significantly depend on the specific shape of bands and mutual interaction of carriers. The most impressive results are related with interband scattering of mobile particles belonging to many-valley systems. Especially essential process of e-e-interaction is peculiar for the so-called half-metals (wolfram, bismuth, molibdenum, indium and many others).

У багатьох випадках під час розгляду кінетичного рівняння в інтегралі зіткнення даремно не враховується наявність зовнішніх електричного та магнітного полів у явному вигляді. Насправді існує певна причина уважно використовувати в інтегралі зіткнення вищезазначені поля і правильно оцінювати кінцеві результати, приймаючи відношення усередненої довжини хвилі де Бройля до середньої довжини вільного пробігу.